之前我们第一次看到GalaxyS21 Plus基准测试成绩曝光，其中的规格细节提到这款旗舰机采用Exynos 2100芯片组，而不是Exynos 1000。虽然我们将等待三星澄清芯片组的正式名称， 但一位小道消息人士已经分享了围绕Exynos 2100的制造工艺相关信息，声称它采用5nm工艺。

Exynos 2100的大核心将以2.91GHz的频率运行，几乎触及3.00GHz的大关。 Exynos 2100显然会像骁龙875一样，采用1+3+4的CPU群组，其中一个是大核，工作频率最高。Exynos 2100的大核有可能是Cortex-X1，而骁龙875也被传闻使用同样的核心。根据爆料人Digital Chat Station在推特中提到的内容，大核的工作频率将达到2.91GHz，不过我们觉得如果 三星 要优化散热的话，Galaxy S21系列可以毫不费力地突破3.00GHz的频率大关。

接下来是三颗性能核心，DCS宣称这三颗核心的运行频率将达到2.81GHz。根据之前的报道，这三颗核心可能是ARM的Cortex-A78，而其余四颗效率核心据说运行频率为2.21GHz。至于GPU方面，预计Exynos 2100将依靠ARM Mali-G78，但DCS并未说明核心数量。值得庆幸的是，我们可能不需要等待相当长的时间，因为现在相关消息已经开始陆续到达。

遗憾的是，Exynos 2100的性能有可能不会超过骁龙875，因为早些时候有不同的爆料人声称，虽然三星将能够弥补性能和效率的差距，但三星最新的SoC可能仍然落后。当然，现阶段还没有任何消息得到证实。

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