SK Hynix 刚刚宣布了 176 层 NAND 闪存芯片，特点是从传统设计升级到了 PUC 方案。在最大限度提高生产效率的同时，还可以减小存储芯片的尺寸。 WCCFTech 指出，作为 4D NAND 闪存芯片系列的最新一代，海力士已于上月向主控企业提供了样品，以推动相关产品的上市。

从 96 层 NAND 闪存芯片开始，海力士一直在推动 4D 技术的发展。本文介绍的 176 层 NAND 芯片，已经发展到第三代。从制造上来说，其能够确保业内最佳的每片晶圆产出。

海力士 NAND 开发负责人 Jung Dal Choi 表示：“闪存行业正在努力改善技术，以实现高集成度和高产量。同时作为 4D NAND 的先驱，海力士将引领业内最高的技术和产能”。

性能方面，第三代 4D NAND 技术可提升单元读取速度和数据传输速率，此外 176 层 NAND 闪存芯片采用了 2 分区单元阵列选择技术。

其原理是将存储单元分成了两个部分，调用电阻更低、读取速度更快。通过不增加处理数量的加速技术(确保数据调用请求能够快速响应)，第三代 4D NAND 还可将传输速率提升 33% 。

然后是能够实时自动校正的超精密对准技术，其特点是能够保障堆栈之间的电流稳定性，进而确保可靠的性能。

展望未来，海力士希望开发出基于 176 层 4D NAND 技术的 Tb 级产品。在此之前， 美光 已经发布了 176 层 NAND，并且推出了基于英睿达品牌的产品。

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