SSD品牌众多，Intel可以说是非常优秀的那一个，早些年的X25系列至今都是让人津津乐道的经典，不过近些年，Intel固态存储的主要精力转向了企业、数据中心市场，消费级领域产品并不多。

眼下，Intel已经将NAND闪存业务卖给了韩国SK海力士，不过在交割完成前，Intel仍在全力推进技术与产品，去年12月份就全球首发了144层QLC NAND闪存，并推出了多款产品，包括今天的主角SSD 670p。

去年有不少笔记本都配备了Intel SSD 660p，用的也是QLC闪存，但因为写入性能不甚理想，反响并不太好。

SSD 670p能逆转这一形象吗?

首先说说Intel QLC闪存的进展，目前可以说QLC闪存方面Intel是最积极的，也是唯一突破100层堆叠的。

Intel的第一代QLC闪存诞生于2016年，最初只有32层堆叠，一年后翻番到64层，存储密度也增加了133%，然后是2019年的96层，存储密度增加50%。

最后就是我们现在看到的第四代，144层堆叠，存储密度又增加了50%，存储密度已经是当年的超过5倍。

Intel QLC闪存使用了浮动栅极结构，拥有紧密、对称的堆栈层，再结合CuA(阵列下CMOS)技术，没有单元开销，同时利用离散电荷存储节点，具备良好的编程/擦除阈值电压窗口，可以有效保障存储单元之间稳定的电荷隔离，以及完整的数据保留。

Intel宣称，这种结构的QLC具备高性能、大容量、高性能、高可靠性的优势，使得高性价比大容量SSD成为现实。

SSD 670p定位于桌面、笔记本的日常计算、办公、内容创作、主流游戏场景，可以完美取代HDD机械硬盘，规格方面自然不算多么高大上，但更加亲民。

标准的M.2 2280接口形态，新的第三代PCIe主控和固件(慧荣方案)，PCIe 3.0 x4系统接口并支持NVMe，容量可选512GB、1TB、2TB，而且都是单面设计，更轻薄。

性能方面，顺序读写最高可达3.5GB/s、2.7GB/s，对比上代SSD 660p分别提升了94%、50%，QD1 4KB随机读写为20K IOPS、54K IOPS，QD8 4K随机读写则是31K IOPS、34K IOPS，比上代提升41%、55%，可以说各个方面都实现了均衡的飞跃，而且还有新一代动态SLS缓存的辅助。

功耗也大大降低，读写状态从100mW降至80mW，待机状态从40mW降至25mW，L1.2休眠状态更是仅仅3mW。

至于大家最关心的寿命，512GB、1TB、2TB的最大写入量分别是185TBW、370TBW、740TBW，五年质保，相当于每天0.2次全盘写入。

动态SLC缓存是TLC、QLC SSD的必备技能，标称性能其实都来自SLC缓存的读写。

SSD 670p系列的SLC缓存包括静态、动态两种，静态恒定不变，动态则根据总容量、可用容量而智能调整，相比上代增大了最多11%。

其中，512GB型号静态缓存6GB、动态缓存最多64GB，合计70GB，1TB、2TB则是最多12GB+128GB=140GB、24GB+256GB=280GB。

当然了，未来保证SLC缓存有效加速，建议不要把硬盘存满，要保留至少15%的空闲。

我们之前说过，SSD 670p面向的是日常客户端应用场景，在这里大约90%的应用负载都是低队列深度(QD)，并且大多数都是读写混合，整体平均比例在70-30左右。

Intel建议，无论基准测试还是应用测试，都应当贴近这种状态，以反映真实性能表现。

Intel也放出了一组官方测试成绩，显示SSD 670p的各项性能指标相比上代都有了不同程度的进步，尤其是顺序读写提升了82%，写入性能偶尔略弱于部分竞品，但整体更加均衡，更像个“水桶”。

整体而言，SSD 670p相比其他主流的TLC/QLC SSD，在低队列深度写入方面有明显优势，60-40、90-10的典型随机读写组合中更是表现突出。

综合而言，Intel表示，SSD 670p同时针对低队列深度、混合工作负载进行了调优，实现了性能、成本、功耗的恰当平衡。

事实上，SSD 670p已经符合Intel Evo高端笔记本严苛认证，这也从侧面证明了其性能、可靠性。

Intel SSD 670p零售版已经上架预售，512GB 479元、1TB 799元、2TB 1779元，3月8日0点正式开卖，3月10日后发货。

惠普、戴尔、华硕、联想也会预装在其整机中，4月起陆续发售。(作者：上方文Q)

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