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兆易创新公布自研内存进展:首发4Gb DDR3

兆易创新公布自研内存进展:首发4Gb DDR3
2020-11-03 11:20:00 来源:快科技

2019年国内的合肥长鑫推出了国产DDR4内存,结束了国内没有DRAM芯片自产的日子,此后也有其他公司准备进军内存市场,比如兆易创新。该公司日前透露了其内存计划,2021年上半年将推出4Gb DDR3内存。

兆易创新在电话会议中透露,自研DRAM现在还在按照原计划进行,目前研发进度跟预期基本一样,预期明年上半年会有产品出来。

兆易创新表示,自研第一个产品会是DDR3, 4Gb,面向利基市场。

2021年还在研发DDR3内存?别急,虽然明年DDR3内存已经不是什么新东西了,DDR5都要上市了,但DDR3还不会被淘汰,而且兆易创新主要是用于利基市场,也就是消费电子产品,对内存的性能、容量等要求不高。

考虑到兆易创新的主力产品,比如NOR闪存、MCU主控等等都是面向嵌入式、消费电子等市场的,其首款内存主打这一市场也不让人意外。

即便是DDR3内存,对任何没有内存研发、设计经验的公司来说,技术门槛还是很高,兆易创新选择看似落后但比较稳妥的研发路线也没什么可说的。

去年底,兆易创新宣布募资33.2亿元研发内存,这点钱并不算多,所以研发DDR3内存情有可原。

他们还公布了内存研发的路线图,如下所示:

·2020年,兆易创新将启动首款DRAM芯片产品定义,包括市场定位、产品规格及芯片设计工艺。

·2020年,兆易创新将定义首款芯片的生产职称,并将经过验证后的设计开展流片试样,反复修改直至通过系统验证。

·2021年,对首款芯片试样进行封装测试,并送交系统芯片商进行功能认证,并最终通过客户验证。

·2021年,首款芯片通过验证之后进行小批量生产,测试成功后进行大批量生产。

·2022-2025年,进行新系列芯片研发及量产。(作者:宪瑞)

责任编辑:kj005

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