根据外媒 TechPowerUp 的消息，SK 海力士公司发布了 176 层 512 Gb 三层 TLC 4D NAND 闪存。

SK 海力士表示新的 176 层 NAND 闪存采用加速技术，数据传输速度提高了 33%，达到 1.6 Gbps。明年年中，SK 海力士将推出最大读取速度提高 70%、最大写入速度提高 35% 的移动解决方案产品，并计划推出消费者和企业SSD产品，进而扩大该产品的应用市场。

SK 海力士还计划开发基于 176 层 4D NAND的 1Tb 密度的闪存，从而持续增强其在NAND闪存业务的竞争力。

11月初，美光科技宣布已批量出货全球首款 176 层 3D NAND 闪存。这款 176 层 NAND 产品采用美光第五代 3D NAND 技术和第二代替换栅极架构。

美光科技表示，与美光的上一代大容量 3D NAND 产品相比，176 层 NAND 将数据读取和写入延迟缩短了 35% 以上。美光的 176 层 NAND 采用紧凑型设计，裸片尺寸比市场最接近同类产品缩小近 30%。美光 176 层三层单元 (TLC) 3D NAND 已在美光新加坡晶圆制造工厂量产并向客户交付，包括通过其英睿达 (Crucial) 消费级 SSD 产品线。美光将在 2021 日历年推出基于该技术的更多新产品。(作者：孤城)

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