在过去的25年间，跟上前沿IC技术的发展步伐变得越来越昂贵。目前仅剩台积电、三星与英特尔三家，其它厂商都淡出先进半导体逻辑制程技术领域。IC制造商通过关闭老旧晶圆厂，采用无晶圆厂或fab-lite业务模式进行资源整合以增强核心竞争力。

三星、台积电研发投入激增

从历史上看，具有最高资本支出水平的IC公司也是能够生产最先进设备的公司，取得先进制程技术必然离不开研发投入。据IC Insights报告显示，自2017年以来，三星的半导体资本支出一直非常强劲，2018年的支出达到216亿美元，2019年达到193亿美元，去年达到281亿美元。在半导体行业的历史上，三星在2017-2020年期间的庞大支出(932亿美元)是前所未有的!是同期所有中国本土半导体供应商的447亿美元总和的两倍以上。尽管三星尚未为其2021年的支出提供指导，但IC Insights估计该公司的支出将基本与2020年持平。

今年1月14日，台积电发布消息称，计划将今年的资本支出增加至250亿美元到280亿美元之间，IC Insights 估计，台积电平均单季度资本支出将约69 亿美元，较2020 年第4 季度支出倍增。

三星、台积电面临3nm之争

由于拥有新的先进晶圆厂的公司数量在不断减少，使得众多半导体企业对晶圆代工厂更加依赖。在上文提到的这三家制造商中，只有三星和台积电真正处于领先地位，这两家企业都可以批量生产7nm和5nm IC。其中，台积电作为纯晶圆代工厂，转向更先进工艺的速度很快，2020年7nm和5nm工艺销售额占台积电2020年销售额的47%。

相比之下，英特尔在先进制程上一直落后，目前只有10nm量产。IC Insights预计英特尔不会在自己的制造工厂中大批量生产7nm器件。

此外，三星和台积电皆宣布在2022年量产3nm制程技术的IC。三星方面，在近日首次展示了采用3nm工艺制造的一颗256Gb(32GB)容量的SRAM存储芯片，这也是新工艺落地传统的第一步。并且三星将在3nm工艺上第一次应用GAAFET(环绕栅极场效应晶体管)技术，再次实现了晶体管结构的突破。台积电方面，3nm仍将继续使用FinFET技术，但台积电表示，3nm制程相比于5nm晶体管密度将增加70%，性能可提升11%，新一轮先进制程之争一触即发。

在时代风口上握住机遇

随着供应链问题的暴露，三星和台积电都意识到了眼前的机遇。三星在2017年开始支出激增的同时，台积电也将在2021年开始大规模的支出增长。

据ICInsights预计，三星和台积电今年的资本支出将至少达到555亿美元，占总支出的5%。由于目前尚无其他公司能够与这些庞大的支出相匹敌，因此三星和台积电今年可能会在先进集成电路制造技术方面与自身和竞争对手拉开更大的距离。

同时，IC Insights 指出，如果没有其他半导体厂或政府采取迅速且果断的行动，台积电及三星将在先进的半导体技术稳居世界领先地位，这些先进的技术将是未来所有高阶消费、商业及军事系统的基石。

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