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旺宏19nm SLC闪存良率极佳：全面进入业界领先制程
做为最早问世的闪存类型，SLC闪存在性能、可靠性上是最佳的，P/E擦写次数在1万到10万次之间，远超MLC、TLC、QLC闪存。
不过SLC闪存成本也是最高的，而且容量也不如其他的闪存类型，所以近年来应用市场越来越狭窄，主流市场已经销声匿迹，生产厂商也越来越少。
旺宏电子日前透露，该公司研发的19nm SLC闪存进展顺利，良率极佳，新产品新应用已经进入验证阶段。
旺宏表示，他们的SLC闪存率先实现了在主芯片处理ECC的创新主张，已成为最佳品质及成本效率典范;19nm SLC NAND也取得 NAND 重要成本优势，全面进入业界领先制程。
不过旺宏电子并没有透露SLC闪存的具体规格及产品信息。
除了SLC闪存，旺宏也在研发3D闪存，48层堆栈的3D闪存已经完成研发，很快会量产，后续则会冲刺192层3D闪存。(作者：宪瑞)
责任编辑：kj005
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