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突破集成电路前道核心工艺设备 芯片设计进入3nm工艺

突破集成电路前道核心工艺设备 芯片设计进入3nm工艺
2021-07-16 10:46:10 来源:快科技

作为国内半导体行业的重镇,日前上海方面印发了《上海市先进制造业发展“十四五”规划》的通知,其中提到要着力发展三大先导产业(集成电路、生物医药、人工智能)。

在集成电路方面,通知要求集成电路产业以自主创新、规模发展为重点,提升芯片设计、制造封测、装备材料全产业链能级。

通知也针对芯片设计、制造封测及装备材料三个领域提出了明确的要求。

其中芯片设计方面,应加快突破面向云计算、数据中心、新一代通信、智能网联汽车、人工智能、物联网等领域的高端处理器芯片、存储器芯片、微处理器芯片、图像处理器芯片、现场可编程逻辑门阵列芯片(FPGA)、5G核心芯片等,推动骨干企业芯片设计能力进入3nm及以下,打造国家级电子设计自动化(EDA)平台,并能支持新型指令集、关键核心IP等形成市场竞争力。

制造封测方面,通知要求加快先进工艺研发,能支持12英寸先进工艺生产线建设和特色工艺产线建设,争取产能倍增,从而加快第三代化合物半导体的发展;发展晶圆级封装、2.5D/3D封装、柔性基板封装、系统封装等先进封装技术。

针对半导体设备及材料,通知要求加强装备材料创新发展,突破光刻设备、刻蚀设备、薄膜设备、离子注入设备、湿法设备、检测设备等集成电路前道核心工艺设备;提升12英寸硅片、高端掩膜板、光刻胶、湿化学品、电子特气等基础材料产能和技术水平,强化本地配套能力。

此外,充分发挥张江实验室、国家集成电路创新中心等“1+4”创新体系的引领作用,加强前瞻性、颠覆性技术研发和布局,联合长三角开展产业链协作。加快建设上海集成电路设计产业园、东方芯港、电子化学品专区等特色产业园区载体,引进建设一批重大项目。

最终到2025年,上海基本建成具备自主发展能力、具有全球影响力的集成电路创新高地。(作者:宪瑞)

责任编辑:kj005

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