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日本企业研发7bpc闪存 可维持超过10万次编程擦写循环

日本企业研发7bpc闪存 可维持超过10万次编程擦写循环
2021-12-17 09:54:27 来源:快科技

SLC、MLC、TLC、QLC、PLC……NAND闪存的发展大家应该都比较熟悉了,它们代表了每个单元能够存储的比特数据,密度越来越高,容量越来越大,当然可靠性、寿命越来越低。

SLC每单元1个比特(1bpc),需要2档电平;MLC每单元2个比特,需要4档电平,容量增加100%;TLC每单元3个比特,需要8档电平,容量增加33%……

以此类推,尚未商用的PLC每单元5个比特,需要32档电平,而容量只有SLC的5倍。

日本企业研发7bpc闪存!150℃高温下数据可保存10年

现在,日本创业公司Floadia(富提亚科技)居然宣称他们已经开发出了全新的每单元7个比特(7bpc)的闪存,按照规律需要多达128档电平,容量则相当于SLC的10倍。

Floadia当然没有延续NAND闪存老路,而是开发了全新的非易失性SONOS单元,在硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)布局的基础上,使用分布式电荷捕获型结构,中间设置了一层氮化硅薄膜,可以牢牢捕获电荷,从而长久维持数据稳定性,并且电压编程擦写循环非常简单。

其中,氧化物-氮化物-氧化物(ONO)层使用了二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)材料,后者制造难度非常低。

官方号称,在极低的电压偏移下,这种闪存可以维持超过10万次编程擦写循环,即便是在150℃高温下,也能持续保存数据长达10年之久,而现在主流闪存能坚持100秒就不错了。

当然,也先别太激动,Floadia这种新闪存的目标市场(至少目前)主要是嵌入式市场,比如正在和东芝合作,利用40nm工艺进行制造,面向各种微控制器。

Floadia成立于2011年4月,创始人是来自日本瑞萨电子的7位工程师,都有近20年的从业经验,公司已经经历了三轮融资,其中C轮获得12亿日元(6700万元人民币)。(作者:上方文Q)

责任编辑:kj005

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