▲ 图源英特尔新闻稿
这台光刻机型号 TWINSCAN EXE:5000,为 ASML 的首代 High NA EUV 光刻机,价值约 3.5 亿美元(IT之家备注:当前约 25.38 亿元人民币)。
就在不久前 ASML 宣布其在荷兰埃因霍温总部的另一台 High NA EUV 光刻机成功绘制了 10nm 线宽的密集线图案。
英特尔表示 High-NA EUV 光刻机可拥有 1.7 倍于目前 0.33NA EUV 光刻机的一维密度,这意味着在二维尺度上可实现 190% 的密度提升。
采用 High-NA EUV 光刻机,可以更精细的尺度制造生产半导体,继续推动摩尔定律。
英特尔计划从 2025 年的 18A 新技术验证节点开始,在先进芯片开发和制造中同时使用 0.55NA 和 0.33NA 的 EUV 光刻机。
此外英特尔还计划购买下一代 TWINSCAN EXE:5200B 光刻机,新机型晶圆吞吐量超过每小时 200 片。
不过根据IT之家此前报道,ASML 在 2021 年时对后 EXE:5000 产品的称呼是 EXE:5200。暂不清楚 EXE:5200B 是 EXE:5200 的改名还是改进型号。
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