在半导体产业内部，三星、台积电、Intel等厂商一直都在竞争着更高制程工艺、更低功耗水准的新技术。

而近日有外媒透露，因三星3 纳米先采用全环绕栅极晶体管(Gate-all-around，GAA)制程，芯片代工龙头台积电预计2 纳米才开始使用GAA 制程，此提高芯片运算效能及降低功耗的技术，将成为先进半导体制程竞争的新战场，也成为三星领先台积电的关键。

韩国媒体《BusinessKorea》报道，相较鳍式晶体管(FinFET)，GAA 是金属闸极全面性包覆，为环状结构，比FinFET 金属闸极只包覆3 面来说，增加更多半导体电路，再以闸极包覆纳米线，提高电路控制和稳定性，提升芯片运算效能，并降低芯片功耗。

因GAA 技术是半导体制程革新，因此被三星视为超车台积电的重要武器。报道指出，虽然就3 纳米制程发展状况，台积电开始与苹果、英特尔合作3 纳米制程测试，预计2022 下半年量产，而三星3 纳米制程最快要到2022 年才会推出，正式量产时间则到2023 年，仍旧落后台积电。英特尔目前还在7 纳米制程，落后台积电与三星约一代。若从导入GAA 制程角度来看，三星就可能超越台积电。原因是三星2022 年就开始试产3 纳米制程导入GAA，但台积电要到2023 年才开始由2 纳米导入GAA，更不用说英特尔2024 年才采用改良自GAA 制程技术的RibbonFET 制程生产2 纳米。三星进一步领先竞争对手，也有机会取得客户青睐。

虽然市场第一个量产3 纳米制程的头衔将由台积电拿下，但先导入GAA 制程技术是三星。透过GAA 制程改变，三星预计可弯道超车台积电。(作者：Martin)

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