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三星3nm GAA性能路线公开 将于2023年初量产
近日举办的三星代工论坛2021大会上，三星披露了最新工艺进展和路线图。FinFET晶体管结构的潜力几乎已被挖掘。三星下一步就是用GAA环绕栅极，其中 3nm工艺有两个版本，3GAE(低功耗版)将于2022年初量产。3GAP(高性能版)将于2023年初量产。
与5nm相比，三星新的3nm GAA可减少面积35%，同等功耗下性能提升30%，同等性能下功耗降低50%。
同时，三星首次披露2nm：2025年量产2nm工艺并未出现在公开路线图上，但三星代工市场战略高级副总裁MoonSoo Kang透露2GAP工艺将于2025年量产。这是三星首次公开其2nm工艺计划，但三星也警告称，新工艺的进展将取决于客户的规划和部署。(作者：赵悟省)
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