近日，在2021 IEEE国际电子器件会议(IEDM)上，英特尔公布了在封装、晶体管微缩、量子物理学方面的多项关键技术新突破，其中一项名为GAA RibbonFET(Gate-All-Around RibbonFET)技术再次引发行业热议，该技术能够通过堆叠多个(CMOS)晶体管，实现高达30%至50%的逻辑微缩提升，从而使得每平方毫米上容纳更多晶体管，以继续推进摩尔定律的发展。

众所周知，晶体管刚开始是二维的形式，后来变成FinFET，就是变成三维封装，再后来变成GAA，就是把NMOS叠在左边，PMOS叠在右边，往上叠了几层，而3D就是直接把NMOS和PMOS直接叠在一起，这样相当于面积减少了一半，面积利用率提高，微缩技术达到了面积减少一半的要求。

而英特尔在论文中宣布了GAA RibbonFET技术在3D CMOS堆叠上的新突破，共有两种方法。方法一是依序，具体的工艺流程是将下面一层晶圆先做好，再将上面一层翻过来再做另外一层晶圆，这样能够有效提高性能;方法二是自对准，一种是通过光刻机对准，另一种叫做自我对准，要通过干蚀或者是沉积手段让晶圆自动对准。英特尔的自对准实现了55纳米的栅极间距，英特尔声称“这是非常了不起的突破”。

实际上，随着晶圆制程越来越逼近物理极限，所有的业界同仁都在积极寻找新的解决思路和办法，以延缓摩尔定律的失效，而英特尔该项技术的突破，到底能够真的投入量产，我们还需要静待观察。(作者：Martin)

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