在功率半导体封装领域，随着碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带材料的广泛应用，对互连材料提出了更高的要求。

值得关注的是，聚砺聚焦第三代半导体关键芯片封装材料及解决方案，推出了FC-100U有压烧结铜膏。该产品作为一款国产高性能金属互连材料，凭借其卓越的界面结合性能、低孔隙率和优异的可靠性，正成为高端应用的理想选择：

图1. FC-100U产品介绍

一、卓越的界面结合性能：适配多种金属层结构

聚砺FC-100U有压烧结铜在3*3 mm SiC芯片上进行烧结界面测试，芯片表面分别采用镀银、镀金和镀铜三种金属处理方式，测试结果显示（图2），无论是哪种金属层结构，FC-100U均展现出优异的剪切强度和界面结合力，确保芯片在高热负载和机械应力下依然保持稳定连接。

图2. 不同烧结界面下FC-100U剪切强度对比

二、高效烧结工艺与低孔隙率优势：致密结构确保长期可靠性

FC-100U烧结铜采用以下有压烧结工艺流程：

图3. FC-100U烧结工艺流程

在260°C、20 MPa压力和氮气气氛下，聚砺有压烧结铜FC-100U仅需10分钟即可完成烧结，烧结层孔隙率低至7%。高致密结构不仅确保了热导性能，也为功率器件提供了坚固可靠的互连界面。

三、可靠性测试验证：适应多种严苛工况

FC-100U烧结铜通过多项国际标准的可靠性测试，展现出其在高温、高湿和热循环等极端条件下的稳定性：

温度循环测试（-55°C ~ +150°C，1000次循环）：热阻变化小于2%，界面性能保持稳定； 高温储存测试（1000小时，150°C）：剪切强度变化小于3%，无明显性能劣化；

图4. FC-100U在高温储存条件下的剪切强度变化

双85测试（85°C/85% RH，1000小时）：剪切强度变化小于11%，表现出极强的耐湿热能力。

图5. FC-100U在双85高温高湿条件下的剪切强度变化

四、环保材料体系：践行绿色封装理念

FC-100U采用符合国际环保标准的材料体系和制造工艺，不含铅及有害物质，满足RoHS等多项环保法规要求。其高热导率与低热阻特性有助于提高系统能效，降低功率损耗，推动功率模块实现绿色节能目标，助力客户打造可持续发展的电子制造体系。

五、总结：国产有压烧结铜膏的技术突破与广阔前景

聚砺有压烧结铜FC-100U不仅在初始导热性、结合强度及孔隙率方面表现优异，更通过多项严苛环境测试验证其长期稳定性与可靠性，标志着国产有压烧结铜膏在高功率半导体封装领域迈出关键一步。凭借高性能、可批量化生产及环保优势，FC-100U具备广阔的市场应用前景，有望在SiC、GaN等高端功率器件中实现更大规模推广。

责任编辑：kj005

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