在全球半导体行业的浪潮中，美光内存始终站在技术革新的最前沿，不断引领着技术的革新与发展。而率先出货1γ 第六代DRAM节点DDR5内存样品，更是彰显了美光科技的锐意进取与创新能力。

美光科技股份有限公司（纳斯达克股票代码：MU）宣布，已率先向生态系统合作伙伴及特定客户出货专为下一代CPU设计的1γ（1-gamma）第六代（10纳米级）DRAM节点DDR5内存样品。得益于美光此前在1α（1-alpha）和1β（1-beta）DRAM节点的领先优势，1γ DRAM节点的这一新里程碑将推动从云端、工业、消费应用到端侧AI设备（如AI PC、智能手机和汽车）等未来计算平台的创新发展。美光1γ DRAM节点将首先应用于其16Gb DDR5 DRAM产品，并计划逐步整合至美光内存产品组合中，以满足AI产业对高性能、高能效内存解决方案日益增长的需求。该款16Gb DDR5产品的数据传输速率可达9200MT/s，与前代产品相比，速率提升高达15%，功耗降低超过20%。

随着AI在数据中心和端侧设备的普及，用户对内存的需求达到了前所未有的高度。美光迈向1γ DRAM节点，将助力客户应对亟待解决的核心挑战：1. 提升性能。基于1γ节点的DRAM性能卓越，能够支持从数据中心到端侧设备的多种内存产品实现计算扩展，满足未来AI工作负载的需求；2.  降低功耗。美光1γ节点采用下一代高K金属栅极CMOS技术，结合设计优化，功耗降低了20% 以上，并实现更优的散热；3. 提升容量密度产出。美光1γ节点采用EUV光刻技术，通过设计优化和制程创新，使单片晶圆的容量密度产出较上一代提升30% 以上，从而实现更高效的内存供应扩展能力。

美光在经过多代验证的DRAM技术和制造策略的基础上，成功打造出优化的1γ节点。1γ DRAM节点的创新得益于CMOS技术的进步，包括下一代高K金属栅极技术，它提升了晶体管性能，实现了更高的速率、更优化的设计以及更小的特征尺寸，从而带来功耗降低和性能扩展的双重优势。此外，通过采EUV光刻技术，1γ节点利用极短波长在硅晶圆上刻画出更精细的特征，从而获得了业界领先的容量密度优势。同时，通过在全球各制造基地开发1γ节点，美光可为行业提供更先进的技术和更强的供应韧性。

1γ节点作为未来产品的基石，将被全面整合到美光的内存产品组合中，推动云端至端侧的产品变革：1. 数据中心。 基于1γ的DDR5内存解决方案为数据中心提供高达15%的性能提升，增强能效，并支持服务器性能的持续扩展，使数据中心能够在未来的机架级功耗和散热设计中实现优化；2. 端侧AI — 1γ低功耗DRAM解決方案可提供更高的能效及带宽，提升端侧AI解决方案的用户体验；3. AI PC。1γ DDR5 SODIMMs可提升性能并降低20%的功耗，从而延长续航，优化笔记本电脑的用户体验；4. 移动设备。1γ LPDDR5X 可提供卓越的AI体验，延续美光在移动设备领域的领先地位；5. 汽车。基于1γ的LPDDR5X内存可提升容量、耐用性和性能，同时传输速率高达9600MT/s。

美光内存的1γ DRAM节点技术，不仅彰显了其在半导体领域的深厚底蕴，更为未来计算领域带来了更多的可能性。这一技术的突破，将助力各行业在数字化转型的道路上疾驰前行，持续推动计算生态系统的发展，共同创造未来的辉煌成就。

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