中华网数码
数码
设为书签Ctrl+D将本页面保存为书签，全面了解最新资讯，方便快捷。
6 月 24 日消息，科技媒体 Wccftech 昨日（6 月 23 日）发布博文，报道称三星披露下一代 NAND Flash（闪存）路线图，计划 2030 年前后冲击 900 至 1000 层 SSD。
6 月 14~18 日在美国夏威夷召开的 2026 年 IEEE / JSAP VLSI 技术与电路研讨会（VLSI Symposium 2026）上，三星公开了更完整的 NAND Flash（闪存）路线图。
根据幻灯片披露的路线规划，三星计划 2029 年实现 420 层 NAND 闪存解决方案，到 2030 年推进至 560 层以上。随后在下一个十年初，继续把层数翻倍，迈向 1000 层以上产品，服务高容量存储场景。IT之家附上相关截图如下：
路线还规划展示 900 至 1000 层方案，三星计划通过 CMB（单元多重键合）连接方式，在一颗芯片内封装 2 组 450 层单元，让 8 TB 的 QLC M.2 SSD 可以提升到最高 32 TB。
在量产难度方面，三星表示主要障碍包括晶圆翘曲和层间对准误差。三星公司计划引入 Upper Chuck Design 方案来控制翘曲，并借助 Overlay Correction（叠对校正）技术降低错位风险。
责任编辑：kj010
