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10月26日，CNMO科技获悉，三星电子与SK海力士计划从明年第二季度起，面向英伟达大规模量产并出货第六代高带宽内存HBM4 8层产品。
据CNMO科技了解，两家公司目前主要量产HBM4 12层产品，新增8层供应计划与英伟达调整下一代AI加速器的内存配置及采购策略有关。HBM通过硅通孔技术，将多颗DRAM芯片垂直堆叠并连接。12层产品由12颗DRAM堆叠而成，8层产品则采用8颗DRAM。英伟达原先未规划采购HBM4 8层产品，相关讨论从今年第三季度开始加快。
按原计划，英伟达明年推出的下一代AI加速器Rubin Ultra将搭载第七代HBM4E 12层产品。不过，英伟达目前正重点评估同时采用HBM4 8层和HBM4E 8层的方案。调整原因涉及HBM4及HBM4E 12层堆叠结构可能带来的散热加剧、良率下降和供应稳定性问题。
知情人士称，英伟达可能根据采用Rubin Ultra的NVL机架级系统规模，混合配置HBM4 8层与HBM4E 8层产品。今年HBM4 12层仍将是主要供应规格，但从明年年中开始，8层产品的占比预计将明显扩大。
三星电子与SK海力士正在为扩大明年HBM4 8层出货做准备，目前，两家公司已经完成英伟达对HBM4 12层产品的认证，但8层产品仍需单独接受认证。
责任编辑：kj010
